工信部公开征求对光伏制造行业规范条件及公告管理办法（征求意见稿）的意见，其中提到，引导光伏企业减少单纯扩大产能的光伏制造项目，加强技术创新、提高产品质量、降低生产成本。新建和改扩建光伏制造项目，最低资本金比例为30%。

其中提到，鼓励企业将自动化、信息化、智能化及绿色化等贯穿于设计、生产、管理、检测和服务的各个环节，积极开展智能制造，提升本质安全水平，降低运营成本，缩短产品生产周期，提高生产效率，降低产品不良品率，提高能源利用率。

鼓励企业参与光伏行业绿色低碳相关标准制修订工作。参照光伏行业绿色制造相关标准要求，开展绿色产品认证、绿色工厂、绿色供应链评价等工作。鼓励企业在生产制造过程中优先使用绿色清洁电力，采用购买绿色电力证书、建设应用工业绿色微电网等方式满足绿色制造要求。

新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：

1.多晶硅满足《电子级多晶硅》(GB/T 12963)3级品以上要求或《流化床法颗粒硅》(GB/T35307)特级品的要求。

2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命不低于2.5us，碳、氧含量分别小于6ppma和8ppma;P型单晶硅片少子寿命不低于90us，N型单晶硅片少子寿命不低于1000us，碳、氧含量分别小于1ppma和12ppma，其中异质结电池用N型单晶硅片少子寿命不低于700us,碳、氧含量分别小于1ppma和14ppma.

3.多晶硅电池、P型单晶硅电池和N型单晶硅电池(双面电池按正面效率计算)的平均光电转换效率分别不低于21.7%、23.7%和26%。

4.多晶硅组件、P型单晶硅组件和N型单晶硅组件(双面组件按正面效率计算)的平均光电转换效率分别不低于19.7%、21.8%和23.1%。

5.CIGS、CdTe及其他薄膜组件的平均光电转换效率分别不低于16%、16.5%、15%。

P型晶硅组件衰减率首年不高于2%，后续每年不高于0.55%，25年内不高于15%，N型晶硅组件衰减率首年不高于1%，后续每年不高于0.4%，25年内不高于11%；薄膜组件衰减率首年不高于4%，后续每年不高于0.4%，25年内不高于14%。